Page 28 - Міністерство освіти та науки України

електронних приладах напівпровідникових пристроїв
(транзисторів, діодів тощо) необхідно встановити залежність їх
параметрів від температури. Така ж задача виникає при
використанні як давачів температури напівпровідникових
термоопорів (термісторів), характеристики яких є нестабільними,
тобто для кожного конкретного термістора (або групи термісторів)
треба індивідуально встановити залежність R ( f T ) тут
R – опір термістора, T - температура). У загальному випадку
об'єкт моделювання (фізичний процес) можна подати так, як
зображено на рис. 2.1,а.

а) б)

Рисунок 2.1 - Структурне зображення об'єкта моделювання:
а) – структурна схема термістора як об’єкта моделювання;
б) – структурна схема об’єкта моделювання з багатьма
входами та одним виходом.

На практиці часто виникає необхідність встановлення для
фізичних процесів залежності за декількома параметрами,
наприклад, при дослідженні фоторезистора слід враховувати
вплив на його опір, крім освітлення, також і температури. Тоді такі
об'єкти моделювання можна подати у вигляді структурної схеми
(рис. 2.1, б), де вхідні параметри позначені х, а вихідний у.
Якщо результати досліджень методом активного експерименту
зведені в таблицю, що містить значення вхідних змінних
(параметрів) х і вихідної змінної (параметра) у, однак характер їх
27