Page 31 - 4687

-2
в робочій камері (≥ 10 Па), використовуючи чітку спрямова-
ність потоку і необхідний кут зустрічі іонів з поверхнею.
У практиці нанесення конденсаційно-вакуумних покрит-
тів часто використовують для очищення і активації поверхні
іонізовані атоми парового потоку матеріалу покриття. Випа-
ровані або розпорошені атоми мішені, проходячи через плаз-
му дугового розряду, в значній мірі іонізуються. В деяких
процесах ступінь іонізації може досягати 50…90 %. Спрямо-
ваний потік металічних іонів створюється внаслідок електри-
чного або магнітного полів або їх спільної дії. Щільність іон-
ного струму і енергія іонів легко регулюється режимом дуго-
вого розряду і параметрами систем керування. Спочатку на
поверхню виробів прямують високоенергетичні іони очищен-
ня. Після закінчення обробки поверхні енергія іонів знижуєть-
ся до величини, достатньої для конденсації і формування по-
криття. Приклад схеми процесу наведений на рисунку 1.5, а.

Рисунок 1.4 – Діодна (а); тріодна (б) і магнетронна (в) схеми
іонно-плазмового очищення і активації поверхні виробів:
1 - камера; 2 - розпилюваний матеріал; 3 - заземлений анод;
4 - потік плазми тліючого розряду; 5 - виріб; 6 - гарячий
катод; 7 - електромагнітна котушка; 8 - магнетрон

30