Page 30 - 4687

Обробка поверхні прискореними іонами не лише
видаляє забруднення, що залишилися від попереднього поза-
вакуумного очищення, але і значною мірою активує поверх-
ню. Експериментально виявлені дислокації на глибині до 0,05
мм.
У практиці нанесення конденсаційно-вакуумних покрит-
тів термічним випаровуванням або іонним розпиленням мате-
ріалу в основному використовують для очищення і активації
поверхні плазму тліючого розряду. За механізмом формування
іонного потоку на поверхні виробів розрізняють такі основні
схеми: діодну (а) тріодну (б) і магнетронну (в) (рисунок 1.4).
Тліючий розряд 4 збуджується між заземленим анодом 3 і ка-
тодом (виробом) – 5. Утворення іонів робочого газу
відбувається внаслідок руху високоенергетичних електронів у
міжелектродному просторі. Їх кількість обумовлена величи-
ною напруги на електродах (1…2 кВ) і протяжністю дрейфу в
розрядному проміжку. Найменший шлях руху електронів у
діодній схемі. У тріодній схемі електрони між катодом і ано-
дом рухаються по спіралі. Закручення забезпечується
електромагнітною котушкою 7. У магнетронній схемі дрейф
електронів по замкнутій орбіті забезпечує магнетронна сис-
тема 8. Таким чином, найбільша величина іонного струму мо-
же бути досягнута при застосуванні тріодної і магнетронної
схем. Відповідно до цього зростає і міра очищення поверхні.
Для очищення поверхонь виробів з діелектриків,
напівпровідників та інших матеріалів на електроди подається
напруга від ВЧ-генераторів.
Для очищення поверхонь виробів у вакуумованих каме-
рах можуть бути використані іонно-променеві потоки,
генеровані в іонних гарматах. У цьому випадку оброблюваний
матеріал не контактує з плазмою. Рівень очищення
підвищується. Крім того, потік іонів і їх енергія (100…2000 еВ
і вище) легко змінюються і незалежно регулюються. З'явля-
ється можливість виробляти очищення при глибокому вакуумі
29