Page 121 - 4627

високих частотах необхідно також враховувати значну
ємність між колектором і підкладкою С CП = 0,8... 8 пФ і опір
колекторної області r C = 10 0м.
Основними граничне допустимими параметрами є
допустимий струм колектора Iс доп та допустимі зворотні
напруги колекторного Uc дoï і емітерного U EBдоп переходів. Всі
перелічені параметри, особливо Iс доп, суттєво залежать від
площі інтегрального транзистора. Наприклад, змінюючи
площу транзистора, можна змінювати в широких межах Iс доп =
10...750 мА. Для напруг на переходах характерні такі
значення: U CBдоп = 30 ...50 В при розкиді ± ЗО %, U EBдоп= 6...8
В при розкиді ±5 %.
У цифрових мікросхемах як вхідні каскади широко
застосовуються інтегральні біполярні багатоемітерні
транзистори. Поперечний переріз планарної структури
багатоемітерного транзистора показаний на рис. 2.8. Це один з
різновидів кремнієвого біполярного транзистора, структуру
якого зображено на рис. 2.5, а. Для багатоемітерного
транзистора характерна наявність кількох (в даному випадку
трьох) емітерних областей, розташованих в базовій області.
Технологія виготовлення інтегральних МДН (МОН)-
транзисторів не відрізняється від розглянутої при
виготовленні біполярних транзисторів. На рис. 2.9 показано
поперечний переріз інтегрального МОН-транзистора з
індукованим каналом р-типу. Такий транзистор може бути
виготовлений одночасно з біполярним транзистором n—р—n-
типу (рис. 2.5, а) на іншому острівці епітаксійного шару n-
типу, як це покачано на рис. 2.9 При цьому області витоку S і
стоку D МОН-транзистора формуються одночасно в циклі
базової дифузії p-домішки для біполярного транзистора.
Діелектриком між затвором G і кристалом напівпровідника
служить двооксид кремнію. Таким чином, кількість операцій
при виготовленні інтегральних МОН-транзис-торів
скорочується в 2—3 рази.
З цієї причини, а також завдяки меншим геометричним
розмірам біполярних МОН-структур щільність пикування
ІМС на цих структурах в кілька разів вища, ніж для
біполярних транзисторів.
Оскільки одночасне формування високоякісних n—р—n- і
р—n—p-транзисторів у складі однієї мікросхеми досить

121