Page 116 - 4627

товщин зю не більше 200—300 мкм і діаметром 40—60 мм. На
поверхні або в об'ємі таких підкладок формуються елементи
напівпровідникової ІМС. В основі формування елементів на
підкладці лежить планарна технологія, яка дозволяє груповим
методом обробляти одночасно кілька десятків підкладок з
сотнями і тисячами напівпровідникових ІМС на кожній. Після
закінчення технологічного циклу виготовлення елементів
мікросхемі підкладки розрізаються алмазним різцем або
лазерним проминем на окремі кристали, які і являють собою
напівпровідникові ІМС. Однак ще перед розділенням
підкладки на окремі кристали проводять виміри електричних
параметрів мікросхем. Непрацюючі ІМС позначають фарбою.
Різноманітна структура кремнієвих підкладок суттєво
визначає якість елементів мікросхеми. Найбільш простими є
підкладки з монокристалічного кремнію, діелектричним
шаром, на поверхні яких є плівка двооксиду кремнію (рис. 2.1,
а). Недоліком таких підкладок є наявність порівняно великого
заряду, який накопичується на межі поділу поверхні кремнію і
діелектричної плівки із двооксиду кремнію, що погіршує
параметри елементів мікросхеми. Такий недолік практично
відсутній у кремнієвих структурах з комбінованим
діелектриком, де на підкладку з кремнію товщинзю 250 мкм
нанесена нижня плівка двооксиду кремнію, потім середня
плівка нітріду кремнію товщиною 0,05 мкм і, нарешті, верхня
плівка двооксиду кремнію товщиною 0,8 мкм. Таким чином,
захисний шар на поверхні кремнієвої підкладки тришаровий.
Найширше застосування при виробництві
напівпровідникових ІМС знайшла кремнієва основа
епітаксійної структури (див. п. 2.1, рис. 2.2, а) з діелектричним
шаром на поверхні підкладки у вигляді двооксиду кремнію
або з комбінованим діелектриком. Товщина вирощеного
епітаксійного шару не перевищує 50 мкм і найчастіше стано-
вить 5—15 мкм. Для покращання параметрів елементів
напівпровідникових ІМС між підкладкою і епітаксійним
шаром вводиться так званий прихований шар. На рис. 2.3
показаний поперечний переріз кремнієвої епітаксійної
структури, в якій між основою p-типу і епітаксійним шаром n-
+
типу вмонтований прихований n -шар. Зауважимо, що знак
«+» підкреслює велику електропровідність даної області
монокристала.

116