Page 119 - 4627

придатний для генерації сигналів великої амплітуди.
Компромісне вирішується питання введення між колектором і
+
підкладкою прихованого підшару n -типу (див. рис. 2.3), який
має дуже малий питомий опір — десяті частини ома на
сантиметр. Тепер струм Iс значну частину шляху проходить
через цей підшарок, що забезпечує малий власний опір
колекторної області (одиниці—десятки ом). Пробивна напруга
ділянки колектор—база при цьому залишається досить
високою (понад 30 В).
Товщина бази Wб (див. рис. 2.5,а) планарних біполярних
транзисторів n—р—n-типу дорівнює, як правило, 1 мкм.
Збільшення товщини бази приводить до зниження коефіцієнта
підсилення за струмом h 21 і граничної частоти підсилення
транзистора. Однак недоцільна також нерівність Wб < 1 мкм,
оскільки при зменшенні Wб знижується допустима пробивна
напруга ділянки база—емітер.
Як видно з плану розміщення інтегрального транзистора
на підкладці (рис. 2.5, б), розміри ізолюючої області, які
приблизно дорівнюють 60 х 90 мкм, значно перевищують
розміри активної зони транзистора. Взаємне розміщення по
площині виводів емітера, бази і колектора, а також їх форма
суттєво впливають на частотні властивості транзистора і його
колекторний струм.
У виробництві напівпровідникових ІМС часто
використовується структура з діелектричною ізоляцією
окремих елементів (див. рис. 2.4). Поперечний переріз
інтегрального біполярного транзистора, колекторна область
якого ізольована від сусідніх колекторних областей і
підкладки за допомогою шару двооксиду кремнію (SiO 2),
показано на рис. 2.6. Для цієї структури характерні значно
кращі частотні властивості транзистора, малі втрати в ізоляції
і низьке значення опору колекторної області. Тому така
структура більш високовольтна і стійка до зовнішнього
впливу. Слід підкреcлити, що при проектуванні мікросхем з
діелектричною ізоляцією транзисторів спрощується робота
над топологією схеми, оскільки відсутня необхідність стежити
за закриттям ізолюючих переходів. Основним недоліком
структури є підвищена складність технології виготовлення
ІМС і велика площа, яку займають елементи мікросхеми.
Інтегральні транзистори р—n—р-типу мають гірші

119