Page 123 - 4627

емітерний перехід при короткозамкненому колекторному
переході, найвищу — діод з емітерним переходом при
розімкненому колекторі.
Перевагою інтегральних діодів, які виготовляються в
одному кристалі і в єдиному технологічному цикчі з
інтегральними транзисторами, є ідентичність тих
характеристик обох типів приладів, які обумовлені
властивостями напівпровідникового матеріалу (інерційність
процесів, час життя носіїв заряду та ін.). Це обумовлює високу
якість роботи напівпровідникових IМС.
Фізичні принципи роботи, вольт-амперна характеристика
і параметри інтегральних діодів аналогічні параметрам
дискретних діодів, які відрізняються лише числовими
значеннями.
В наш час промисловість освоїла випуск кремнієвих
діодних матриць і збірок, до складу яких входять один або
кілька діодів за заданою схемою ввімкнення. Такі матриці і
збірки можна застосовувати як окрзмі функціональні вузли
при проектуванні імпульсних та іншого роду схем. Вони
виготовляються в складі серій мікросхем і орієнтовані на
кснхретні галузі застосування. Наприклад, збірки діодів для
діодно-транзисторнзго осередку входять до складу цифрових
мікросхем серій К202, К217 і К221, характеризуються
високою швидкодією при невеликому прямому струмі 2—10
мА і малій зворотній напрузі U звор < 10 В.
Кснструктивно матриці і збірки виготовляються в
безкорпусному, пластмасовому або металоскляному
виконанні і призначені для використання в гібридних ІМС із
загальною герметизацією. На рис. 2.1 I, a показано
конструкцію діодної матриці типу КД917А, а на рис. 2.11, б —
її принципову схему.
Резистори. В напівпровідникових ІМС як резистори
використовують тонкий (порядку 3 мкм) шар напівпровідника
емітерної або базової області транзисторної структури, опір
якого визначається кількістю внесеної домішки в процесі її
дифузії в острівці епітаксійного шару. Дифузія домішки в
острівці резисторів при планарній технології відбувається
одночасно з формуванням транзисторів або діодів в інших
острівцях підкладки. Такі резистори називають дифузійними.
Ізоляція дифузійних резисторів від інших елементів схеми

123