Page 125 - 4627

колекторного шарів планарнoго транзистора. При цьому
питомий поверхневий опір області бази дорівнює 50—250
Ом/кв. Це дає можливість отримати доцільні за розмірами
резистори, опори яких лежать в межах від 10 0м до і 10 кОм з
розкидом ±10—30 %.
Якщо в мікросхемі необхідно застосувати резистори з
опорами в кілька десятків або навіть сотень кіло,ом, то
виготовляють так звані стиснуті резистори (пінч-резистори)
на основі біполярної або уніполярної транзисторної
структури. Поперечний переріз пінч-резистора на основі
уніполярної транзисторної структури показано на рис. 2.12, г.
Поперечний переріз p-каналу, що являє собою резисторну
+
доріжку, зменшено зверху додатковою дифузією n -типу. В
залежності від довжин л, ширі;ня і товщини доріжки може
бути одержано те чи інше значення опору пінч-резистора.
Однак такі резистори мають значну нелінійність і розкид
більше 30—50%. Затвор резистивного МОН-транзистора в
залежності від потрібного характеру навантаження (ці
резистори широко застосовуються в ІМС як навантаження в
колах з низькими потенціалами) може під'єднуватися до
витоку, стоку або корпусу.
Негативну роль при роботі напівпровідного резистора
відіграє паразитна розподілена ємність ізолюючого р—n-
переходу. Незважаючи на дуже мале значення цієї ємності (2
... 5 пФ) для резистора з опором 4—5 кОм, модуль загального
опору суттєво змінюється вже на частоті порядку 10 МГц.
Негативно впливають на роботу напівпровідникових
резисторів температурні зміни (порівняно високе значення
ТКО).
Конденсатори. Використовуючи ті самі принципи
планарної технології, можна в кристалі ІМС одночасно з
транзисторами і резисторами сформувати в інших острівцях
підкладки або епітаксійного шару інтегральні конденсатори.
Як конденсатори напівпровідникових ІМС використовуються
ємності зворотно зміщених р—n-переходів бар'єрні ємності
біполярної транзисторної структури або ємності МДН-
структури. Номінали таких ємностей звичайно менше 100 пФ
при розкиді ±20—30 %, номінальна напруга 7... 50 В.

125