Page 124 - 4627

здійснюється за допомогою закритих р—n-переходів.
На рис. 2.12, а показано дифузійний резистор, який
виготовляють у базовому шарі біполярного транзистора n—
р—n-типу. Від основи та інших елементів мікросхеми
резистор відокремлений не менше ніж двома ввімкнутими
назустріч р—n-переходами. Внаслідок цього при будь-якій
полярності прикладеної напруги система цих р—n-перехо-дів
буде закрита, що виключає необхідність подачі зміщення.
Топологія дифузійного резистора показана на рис. 2.12, б.
Опір такої прямокутної пластинки визначається формулою
R - l/bh, (2.1)
де—, І, b, h— відповідно питомий опір матеріалу,
довжина, ширина i товщина дифузійного шару пластинки.
При l=b, тобто для квадратної пластинки, R = кв= /h. Цю
величину, що має розмірність опору і не залежить від розмірів
квадрата, називають опором квадрата резистивної плівки.
Одиниця вимірювання  кв Ом/кв. При l=b (звичайно l> b) опір
прямокутної пластини визначають із виразу (див. рівняння
2.1)
R= кв (l/b)=  кв K ф (2.2)
де К ф = l/b— число квадратів із сторонами b, які
вміщуються по довжині пластини l.
Опір квадрата резистивної смужки (його ще називають
поверхневим питомим опором)  кв є важливим параметром,
який характеризує провідність смугових резисторів.
Дифузійний резистор в області емітерного шару
планарного біполярного транзистора показаний на рис. 2.12, в.
Опір такого резистора прямокутної форми визначається
виразом (2.2). Від основи та інших елементів схеми він
ізольований не менше, ніж трьома р—n-переходами, тобто
дуже надійно. В лінійних ІМС іноді зустрічаються колекторні
резистори, що мають смугу опору в колекторному шарі
транзисторної структури.
Найбільш низькоомні дифузійні резистори в області
емітерного шару транзисторної структури, оскільки
концентрація домішки в емітерному шарі найвища. Опір
квадрата резистивної смуги для дифузійних емітерних
резисторів дорівнює 2 ... 6 Ом/кв. Відносно високоомні
напівпровідникові резистори в області базового і

124