Page 118 - 4627

епітаксійна технології (п. 2.1).
Основою для створення біполярних транзисторів є n-
острівці монокристального кремнію (див. рис. 2.1, д) або
епітаксійного шару кремнієвої епітаксійної структури (рис.
2.2, а). На таких острівцях формуються планарні транзистори.
Значно частіше виробництво біполярних транзисторів
здійснюють за. цланарно-епітаксійною технологією з
використанням n-острівців епітаксійного шару, які мають
електронну провідність (рис. 2.2, б). Переваги цієї технології
розкриті в п. 2.1.
На рис. 2.5, а показаний поперечний переріз стандартного
малосигнального інтегрального n—р—n-транзистора,
виготовленого з використанням n-острівця епітаксійного шару
(рис. 2.2, б), а на рис. 2.5, б — топологія розміщення елементів
транзистора на поверхні підкладки. Технологія формування n-
острівців кремнієвої епітаксійної структури викладена в п. 2.1.
Транзисторна структура розміщується в об'ємі
ізольованого острівця з електронною провідністю, який являє
собою також область колектора. Область бази р-типу і область
+
емітера n -типу формують в n-острівці двома послідовними
дифузіями. Підвищений ступінь легування кремнію емітерної
+
області (n ) повинен забезпечувати хорошу інжекційну
здатність останньої. Колекторна область знизу безпосередньо
межує з p-підкладкою, а стінки з вертикальними p-областями,
які утворилися під час першої роздільної дифузії домішки р-
типу (див. рис. 2.2, б). Як правило, на підкладку подають
від'ємний потенціал схеми. Коли вмикають у схему джерело
живлення, колектори транзисторів перебувають під додатною
напругою відносно підкладки, тому p—n-переходи, які
розділяють сусідні колекторні області, зміщуються в
зворотному напрямі, ізолюючи транзистори.
Колекторний вивід C планарного транзистора розміщений
на тій самій площині, що і виводи емітера E та бази B. Таке
розміщення «зверху» колекторного виводу подовжує шлях
колекторного струму Iс по колекторній області. Знизити опір
колекторної області струмoві Iс можна, збільшивши
провідність кремнію колектора (збільшивши концентрацію
домішки в області колектора), однак при цьому сильно
зменшується пробивна напруга ділянки колектор—база, яка в
лінійному режимі закрита. Отже, такий транзистор не

118