Page 120 - 4627

основні показники, ніж розглянуті вище n—р—n-транзистори.
Часто це зв'язано з тим, що рухливість дірок як основних
носіїв заряду в транзисторах р—n—р-типу нижча, ніж
рухливість електронів як основних носіїв заряду в
транзисторах n—р—n-типу. Крім того, є причина кон-
структивно-технологічного характеру. Як видно із структури
інтегрального біполярного транзистора р—n—р-типу, що
показана на рис. 2.7, а, роль бази в ньому відіграє
епітаксійний острівець з провідністю n-типу (колекторна
область для інтегрального транзистора n—p—n-типу, рис. 2.5,
а). Товщина базової області в цьому випадку не менше 5 мкм і
коефіцієнт підсилення струму бази h 21 не перевищує кількох
десятків. Для інтегральних транзисторів n—р—n-типу
коефіцієнт підсилення струму бази становить 100 — 200 з
розкидом ±30 %. Колекторна і емітерна області провідності p-
типу (рис. 2.7, а) виготовляються одночасно з базовою
областю транзистора n—р—n-типу (рис. 2,5, а). На рис. 2.7, б
показана топологія інтегрального р—n— р -транзистора.
Вольт-амперні характеристики і параметри інтегральних
транзисторів і дискретних біполярних транзисторів
аналогічні, але відрізняються лише числовими значеннями.
Основними низькочастотними параметрами інтегральних
транзисторів є коефіцієнт підсилення струму бази /г;іг, про
який згадувалось чище, вхідний опір R BX=h 11E і напруга на
ділянці база—емітер U (BE).
Вхідний опір визначається опором об'єму бази r B = 50 ...
150 0м і опором емітерного переходу, перечисленим до кола
бази, тобто
-3
R вх = r B+ kT/qI B = (50 ...150) +26 10 / І в,
де k — стала Больцмана; Т — абсолютна температура; q
3
— заряд електрона при Т = 300 K; kT/q = 2610 В,I в — струм
бази. Напруга U BE, при якій струм колектора різко
підвищується від нульового значення, для кремнієвих
інтегральних транзисторів дорівнює 0,5—0,7 В.
До високочастотних параметрів транзистора відносяться
гранична частота f r, на якій спрямлена залежність h 21E(f)
зменшується до одиниці, і ємність колекторного переходу C C.
Гранична частота інтегральних біполярних транзисторів
суттєво залежить від їх площі і лежить в межах 250 ... 1000
МГц. Ємність проміжку колектор—база С CB=0,2 ... ... 2 пФ. На

120