Page 122 - 4627

складний процес, то виготовляються окремі набори названих
транзисторів. Такі набори є в складі серії К192 з коефіцієнтом
підсилення струму бази h 21E, що становить 20—300. Зважаючи
на те, що в розв'язанні багатьох схемотехнічних питань
важливо мати узгоджені пари інтегральних біполярних і
польових транзисторів, промисловістю налагоджено випуск
мікрозбірок, в складі яких є такі пари. Мікрозбірки
узгоджених пар біполярних транзисторів з відносним
розкидом h 21E, який перевищує 5—15 %, і різницею прямих
спадів напруги база—емітер не більше 3—15 мВ входять до
серії К129. Узгоджені пари польових транзисторів з відносним
розкидом струму стоку  5% утворюють серію К504.
Значне число транзисторів виготовляється в
безкорпусному виконанні. Вони є компонентами гібридних
інтегральних мікросхем. З цією ж метою виготовляються
транзисторні збірки типу ГТС609, КТС613, КТС631 і КТС622
з допустимою зворотною напругою U CB = 20... ... 60 В.
Діоди. Оскільки напівпровідникові діоди являють собою
однопе-рехідні структури, то при їх виготовленні в
інтегральному виконанні можуть бути використані поодинокі
р—n-переходи. Однак, виходячи з конструктивно-
технологічних умов, як діоди звичайно використовують
емітерний або колекторний р—n-переходи інтегральних
біполярних транзисторів. Час відновлення таких діодів лежить
в межах 10— 100 нc. На рис. 2.10 подано схеми вмикання
біполярного транзистора, де як інтегральний діод
використовуються колекторний (рис. 2.10, a, б) і емітерний
(рис. 2.10, в, г) р—n-переходи.
Діоди на основі колекторного р—n-перехoду мають
найбільшу допустиму зворотну напругу (до 50 В), але їх
прямий опір також великий. Найменший зворотний струм і
найбільшу швидкодію мають діоди на основі емітерного
переходу. Оскільки розкид пробивної напруги U EB Емітерного
переходу незначний (±5 %), такий перехід доцільно
використовувати як стабілітрон. Для зменшення
температурного дрейфу напруги пробою, що становить
приблизно 2,4 мВ/К, послідовно з емітерним переходом
вмикається прямозміщений колекторний перехід, який має
додатний температурний дрейф у межах 1,5 ... 2 мВ/К.
Найнижчу пряму напругу має діод, в якому використано

122