Page 136 - 6375

Рисунок 16 – Гвинтова дислокація ( – вектор Бюргерса; – вектор зсуву).

Дислокації не можуть обриватися всередині кристала Вони можуть мати вигляд

замкненої петлі або закінчуватися на вільній поверхні кристала чи границі зерна. Сліди
виходу дислокацій на поверхню кристала можна виявити хімічним травленням та

електронно-мікроскопічними методами. Дислокації кількісно характеризуються густиною та

вектором Бюргерса. Під густиною дислокацій розуміють кількість дислокаційних ліній на
д
одній площині поверхні кристала.

Введемо поняття вектора Бюргерса. Для цього розглянемо плоску область, яка
розміщена на значній відстані від лінії дислокації (див. рис. 15). Здійснимо від початкової

точки обхід по контуру , взявши за кроки обходу ціле число міжатомних відстаней (у

даному разі два). Для правильної структури контур обходу є чотирикутником. Після обходу
кінцева точка збігається з початковою. Якщо обхід виконати так, що всередині контура

′ ′ ′
обходу міститиметься лінія дислокації (обхід ), то початкова точка обходу і
′
′
′′
′′
′′
′′
′
′′
′
′′
′
′ ′
кінцева не збігаються, хоч = = = . Відстань загалом може
′ ′
′′
дорівнювати одній або кільком міжатомним відстаням. Вектор називають вектором
′
Бюргерса. Він є сталим уздовж усієї лінії дислокації. Вектор Бюргерса – найбільш важлива
характеристика дислокації. Він виражає міру спотворення ґратки, зумовленого наявністю
дислокацій.
Поверхневі дефекти в кристалах – це границі між окремими по-різному
орієнтованими частинами кристала (блоками мозаїки), границі зерен (між кристалітами в
полікристалі), сама поверхня кристала, дефекти упаковки і двійники. Двійниками називають
два кристали однієї речовини, що зрослися в одне тіло, в якому границею між цими