Page 134 - 6375

До енергетичних дефектів належать також тимчасові збуджені стани, утворені внаслідок

опромінення кристала елементарними частинками високих енергій.

Рисунок 14 – Атомні дефекти.

Для утворення дефекту за Френкелем потрібна дещо менша енергія, ніж для дефекту

за Шотткі. Значення цих енергій знаходиться в межах від 2 до 4 еВ. Дефекти за Френкелем
найбільш характерні для кристалів. Утворення їх зумовлено нерівномірним розподілом

енергії між структурними одиницями кристала. Дефекти за Шотткі дуже поширені як в
атомних, так і в металевих, іонних і молекулярних кристалах. Ці два типи точкових дефектів

створюються в результаті теплової активації кристала. Кожній фіксованій температурі
відповідає певна рівноважна концентрація цих дефектів:

,
= − в
в
0

де – концентрація вакансій; – концентрація атомів кристала; – енергія утворення
0
в
в
вакансії.
Концентрація дефектів, як випливає з формули, залежить від енергії утворення

дефекту і температури. З підвищенням температури швидко зростає. При кімнатних
в
температурах число у рівноважній кристалічній гратці є незначним. Для іонних кристалів
в
і багатьох металів відносне число вакансій / при температурі плавлення становить
0
в
близько 10 . Для збільшення концентрації дефектів при низьких температурах вводять
−4