Page 131 - 6375
P. 131

де  – валентність іона;  – заряд електрона;   – число Авогадро;  – відстань між іонами;
                                                                
                 – стала Маделунга.  Вона однакова для  кожного типу кристалічної  структури. Так, для
                 
               структури     = 1,748,  для      –  4,17.  Уточнення  цієї  моделі  здійснюється
                                   
                                                        2 3
               внаслідок врахування сил відштовхування. М. Борн запропонував для цих сил такий вираз
                           
               енергії: / . Величина  визначається емпіричним шляхом. Вона перебуває в межах 5 − 12.
               Тоді



                                                              2 2
                                                                    
                                                  = −          −      ,
                                                          
                                                                    
                                                                        

               де    –  коефіцієнт,  який  враховує  структурні  особливості  розміщення  іонів.  Дальше

               уточнення  розрахунків  величин    грунтується  на  врахуванні  сил  притягання  Ван-дер-
               Ваальса та нульової енергії.

                                                                                                   5
                        Іонний  зв’язок  досить  сильний.  Він  становить  величину  порядку  10  Дж/моль.
               Міцність іонного зв’язку проявляється в тому, що іонні кристали мають малий коефіцієнт
               теплового розширення і високу температуру плавлення. Електропровідність іонних кристалів

               при кімнатних температурах незначна. Вона на 20 порядків нижча, ніж у металів, і зростає з

               підвищенням  температури.  Для  іонних  кристалів  характерним  є  сильне  поглинання  в
               інфрачервоній області спектра.

                        Типовими кристалами  з ковалентним зв’язком є алмаз, графіт, карборунд, сульфід
               цинку, йод, сірка. До них належать і напівпровідники. У вузлах кристалічної ґратки таких

               кристалів  розміщені  нейтральні  атоми.  Характерною  рисою  ковалентного  зв’язку  є  її
               напрямленість, а розподіл густини заряду навколо кожного з ядер атомів відрізняється від

               сферично-симетричного розподілу, який характерний для іонних молекул. Це приводить до

               виникнення нового стану, в якому зовнішні валентні електрони, що слабо зв’язані з ядром,
               належать одночасно обом ядрам, тобто усуспільнені. Між атомами, які колективізували свої

               зовнішні  неспарені  валентні  електрони,  виникає  значне  електричне  притягання.  Звичайно,
               поряд з притяганням існує і взаємне кулонівське відштовхування між електронами і ядрами

               атомів.  Енергія  електростатичного  відштовхування  значно  менша  від  енергії  притягання.

               Ковалентний  зв’язок  суттєво  відрізняється  від  іонного  тим,  шо  число  електронів,  які
               здійснюють  ковалентний  зв’язок,  у  кожного  атома  обмежене,  а  тому  цей  зв’язок  є

               насиченим. Так, для водню, якщо один з атомів об’єднався з іншим і утворив молекулу, то
               вона не реагуватиме з третім вільним атомом водню. Для типового ковалентного  кристала

               алмазу кожен атом утворює чотири ковалентні зв’язки, віддаючи для усуспільнення кожному

               з них один із своїх валентних електронів і одержуючи другий електрон від сусіднього атома.
               Структура алмазу тетраедрична.
   126   127   128   129   130   131   132   133   134   135   136