Page 44 - 4553

перпендикулярний до напрямку діючого дотичного на-
пруження.

Рисунок 2.1 - Структура атомної гратки, що має
лінійну дислокацію

Таким чином, лінійна дислокація являє собою нібито
щілинну трубку з дуже малим перерізом і відносно значною
довжиною. Дислокація обов’язково виходить на поверхню
кристала; всередині кристала в здорових гратках вона не може
обірватися, це можливо лише біля дефекту. По ядру
дислокації зовнішнє середовище може в деяких випадках
проникати всередину кристала.
При переміщенні по кристалу дислокація описує деяку
поверхню, причому зсув частин кристала відбувається саме по
цій поверхні. Як відомо, переміщення дислокацій можливе під
впливом значно менших напружень, ніж напруження,
необхідні для одночасного відносного переміщення двох
частин кристала по всій поверхні стику.
На рис. 2.2 показана гвинтова дислокація, яка харак-
теризується тим, що її напрямок паралельний діючому
дотичному напруженню.

Рисунок 2.2 - Структура атомної гратки, що має
гвинтову дислокацію

52