Page 42 - 4553

структуру і може розглядатись як такий, що складається з
двох частин з різними властивостями – з місць розпушення
(ультрамікрощілин і пустот, дислокованих і сторонніх атомів і
т. п.) і «ідеальної» частини, утвореної правильно
побудованими гратками.
Дефекти кристалічних граток розподілені по всьому
кристалу, але на поверхні кількість їх та інтенсивність
розвитку звичайно набагато більші, ніж в об’ємі кристала.
Пояснюється це значною статистичною ймовірністю відриву
атомів на поверхні з утворенням вакансій, пустот і
ультрамікрощілин при стимулюючому впливі зовнішніх
причин.
До лінійних недосконалостей належать ланцюжки з
вакансій або дислокованих атомів і дислокації, появі яких
сприяла пластична деформація. Біля дислокацій гратка
викривлена, тобто мають місце залишкові напруження
третього роду і згущення енергії граток. Напруження і енергія,
що з ними пов’язана, створюють поле, густина якого
поступово зменшується із збільшенням відстані від
дислокацій.
Поле напружень навколо рухомої дислокації відріз-
няється від поля біля стаціонарної дислокації [92], оскільки
існує границя швидкості переміщення атомів. Дислокація не
може рухатися із швидкістю, більшою від швидкості
поширення звуку в даному металі. З наближенням до
граничної швидкості енергія дислокації нескінченно зростає, а
ширина поля напружень з напрямку руху скорочується до
нуля.
Енергія рухомої дислокації зростає з швидкістю за
u
законом u  0 , де u - енергія спокою дислокації; 
0
1  2 / c 2
- швидкість руху дислокації; с - швидкість звуку.
Критичне напруження, необхідне для початку генеру-
вання дислокацій, звичайно виявляється підвищеним
внаслідок появи атомів домішок, які блокують ділянки
дислокацій. Так, блокуюча дія зумовлена зменшенням вільної
енергії системи при прониканні атома домішку поле
50