Page 106 - ЕЛЕКТРИКА І EЛEКТРОМАГНЕТИЗМ

Для виготовлення транзисторів використовується герма-
ній і кремній, тому що вони характеризуються більшою меха-
нічною міцністю, хімічною стійкістю і рухомістю носіїв стру-
му. Напівпровідникові транзистори діляться на точкові і пло-
щинні. Перші значно підсилюють напругу, але мають малі ви-
хідні потужності, другі мають велику потужність. Розглянемо
принцип дії площинного транзистора з n-р-n переходом.
Практично це досягається наплавленням індію на тонку плас-
тинку ( d  0, 1мм) з германію з двох площин. Транзистор
включається в коло за схемою (рис. 5.23, а). Робочі електроди
– база (в центрі) і прилеглі до неї ліворуч – емітер, праворуч –
колектор приєднуються до постійної зміщуючої напруги Б е
(батарея емітера) і Б к (батарея колектора). Батарея колектора
має більшу напругу і підключається в зворотному напрямі до
p-n переходу база-колектор. Вхідна змінна напруга U пода-
вх
ється на вхідний опір ( R ). Підсилена напруга U вих знімаєть-
вх
ся з вихідного опору ( R вих ). На переході емітер-база електро-
ни провідності рухаються в прямому напрямі від емітера на
базу. Товщина бази дуже мала ( d  0, 1 мм), тому електрони за
інерцією пролітають всю базу і дифундують в запірний шар p-
n переходу, який включений в зворотному напрямі і в якому
нема носіїв заряду. Ці електрони підхоплюються більш силь-
ним електричним полем база-колектор і забезпечують струм в
контурі база-колектор (цей струм буде таким же, як у вхідно-
му колі). Опір R вих набагато більший, ніж R , тому спад на-
вх
пруги на виході буде більший, ніж на вході. Транзистор під-
силює змінну напругу.

Рисунок 5.23

101