Page 105 - ЕЛЕКТРИКА І EЛEКТРОМАГНЕТИЗМ

I
I

I
t

U
а) б)
Рисунок 5.21

Технологія виготов-
лення діода може бути зро-
зуміла на прикладі Ge і Іn.
На кристал германію накла-
дається “таблетка” індію, і
система нагрівається до те-
мператури 500С в атмос-
фері інертного газу, а потім
повільно охолоджується.
Рисунок 5.22 Германій – n-типу, індій –
р-типу (рис. 5.22). Найбільш
розповсюджені діоди міднозакисні, германієво-індієві, селе-
нові, карбід-кремнієві. Сучасні діоди мають різну потужність
(струм від мікроамперів до десятків амперів) і різну робочу
напругу.

5.4.6 Транзистори

Подвійний n-р-n або р-n-р перехід використовується для
підсилення змінної напруги, для генерації коливань. Цей при-
стрій має назву транзистора, або напівпровідникового трі-
ода. Такий пристрій діє як вакуумна електронна лампа з сіт-
кою. В основі дії транзистора (від transfer – перетворювати і
resіstor – опір) лежить ефект, відкритий в 1948 р. американсь-
кими фізиками Джоном Бардіним і Уолтером Браттейном і не-
залежно від них У. Шоклі (Нобелівська премія). Можливі інші
варіанти n-р переходів, наприклад, n-р-n-р перехід

100