Page 103 - ЕЛЕКТРИКА І EЛEКТРОМАГНЕТИЗМ

За зонною теорією введення тривалентної домішки в
кристал кремнію призводить до утворення в забороненій зоні
домішкового рівня А, не зайнятого електронами (для бору
 E  0, 08 eB). Рівень розташований близько до валентної
A
зони, і на нього може перейти електрон з валентної зони на-
віть при низьких температурах. Цей електрон не бере участі в
провідності. Носіями струму є дірки, що виникли в валентній
зоні.
Таким чином, в напівпровідниках з домішками, вале-
нтність яких менша на одиницю від валентності основних
атомів (Ge), носіями струму є дірки, виникає діркова про-
відність (р-типу). Напівпровідники такого типу мають назву
діркових напівпровідників (р-типу). Домішки, що захоплюють
електрони, мають назву акцепторів (загарбників), а додаткові
домішкові енергетичні рівні (рис. 5.19, б) – акцепторних рів-
нів.
Чисті напівпровідники мають власну провідність n-
і р-типу, домішкові напівпровідники можуть мати або еле-
ктронну провідність n-типу (домішки з більшою валентні-
стю P, As), або діркову провідність р-типу (домішки з мен-
шою валентністю B, Іn).

5.4.5 Контакт напівпровідників n- і р-типу.
Напівпровідниковий діод. Випрямлячі

Якщо дірковий і електронний напівпровідники привести
в контакт, то електрони з n-напівпровідника переходять в
р-напівпровідник, а дірки переміщуються в зворотному на-
прямі. При цьому на границі виникає електричне поле напру-
женістю, напрямленою від напівпровідника n-типу до р-типу
(рис. 5.20, а), виникне контактна різниця потенціалів. Такий
контакт називається n-р-переходом і утворюється спіканням
двох чистих напівпровідників (Ge, P) при температурі
t  500  C . Прикладемо зовнішнє поле так, щоб потенціал
напівпровідника р-типу був вищий, ніж потенціал
напівпровідника n-типу (рис. 5.20, б).Тоді електрони і дірки
будуть рухатися до границі переходу і там рекомбінувати,
забезпечуючи струм через n-р-перехід. Цей напрям
називається пропускним.

98