Page 13 - 52

3
( t) 1  (  ) i t
Ex Ex e
  d  
|
T 2    E |   i
x 0 x 0
1   e i t
kz
  e d   , (1.7)
2      i
 z2 
 1  Ф   

 2  
2 v  t 2
де :  ( v )  e dt - інтеграл ймовірності;
 O
  2 t  10 7 - параметр становлення,
заданий в системі СІ;
 - електричний опір середовища;
t - час;
k  i  0  - хвильове число.
Звідси, якщо застосувати через закон Ома для густини
струму, можна записати
J x (t )  J x 0 1  Ф (v  ) , (1.8)

де: v  2  z .
2 
Функція Ф(v)=0 при z=0 і швидко зростає при
збільшенні аргументу. Звідси бачимо, що із зростанням
глибини z поле швидко затухає.
Глибина проникнення також залежить від розміру
установки, тобто від відстані між центрами живильного та
приймального диполів R, яка прямо пропорційна глибині.
При цьому розрізняють ближню або дальню зони, коли
2R/=R/z еф1 або 2R/=R/z еф1 відповідно. Неважко
показати, що параметри поля тісно пов'язані з провідністю
середовища, що буде використано в наступних розділах.

*)
1.2 Особливості структури поля в ближній зоні

*)
Підрозділи 1.2 і 1.3 написані у відповідності з підручником М. С.
Жданова “Электроразведка” [6]