Page 17 - 52

m H t
F (m )  ; m  ( 1 ),
(1  4 m 2 ) 5 / 2  S 
де: F(m) – функція індивідуальна для кожної установки;
 - віддаль між магнітним диполем і MN;
t – час з моменту виключення струму.
З виразу (1.16) легко знайти значення електричної
2
складової для ближньої ( Б (t ) при 4m  1) і дальньої
м
2
( Д (t ) ) при 4m  1) зон
м
K Д m
Б
 (t )  ;  (t )  K . (1.16)
м 4 м
32 Sm S
Для пізніх стадій становлення поля (t SH) ці
формули набирають такого виду:
S 3  4
Б
 м  K ( ) ; (1.17)
32 t
t
Д
 м  K . (1.18)
 S 2
Наведені формули свідчать про складну залежність поля
від S і  на різних часах.
При цьому зазначимо, що остання формула співпадає з
асимптотичними виразами для становлення поля над
багатошаровим розрізом з ізолятором в основі 4 і може
використовуватися для визначення сумарної провідності
останніх.
З загального виразу (1.16) можна визначити позірні
значення повздовжньої провідності S  . За допомогою
диференціальних трансформацій перехідних характеристик
розрізу 13-15.
Для останніх використовується сама функція  м (t ) та її
похідна
    (t ) m K dF (m ) 1
 1 (t )  м  м  .
м
 m  m t  S dm  S
Використовуючи їх, розраховується допоміжна функція