Page 91 - 4627

стоком є тонкий приповерхневий канал з електропровідністю
n- типу. Поверхня кристалу напівпровідника між витоком і
стоком покрита тонким шаром (близько 0,1 мкм) діелектрика.
На шар діелектрика нанесений металевий електрод – затвор.
Особливість. Наявність шару діелектрика дозволяє в такому
польовому транзисторі подавати на затвор керуючу напругу
обох полярностей.
При прикладенні до затвору позитивної напруги,
електричним полем, яке при цьому створюється, дірки з
каналу виштовхуються в підложку, а електрони витягуються з
підложки в канал. Канал збагачується основними носіями
заряду– електронами, його провідність збільшується і струм
стоку зростає. Цей режим називають режимом збагачення.
При прикладенні до затвору від’ємної напруги відносно
витоку, в каналі створюється електричне поле, під впливом
якого електрони виштовхуються з каналу в підложку, а дірки
втягуються з підложки в канал. Канал збіднюється основними
носіями заряду, його провідність зменшується і струм стоку
зменшується. Такий режим роботи транзистора називають
режимом збіднення.
Якщо напруга затвора рівна нулю U ЗВ = 0 , тоді через
канал протікає початковий струм середньої величини.
В результаті канал під дією напруги U ЗВ може як
розширюватись, так і звужуватись (до повного змикання)
залежно від знаку U ЗВ . Роботу польового транзистора з
вбудованим каналом характеризують вихідні (стокові)

I  f U (
характеристики C CB)
U ЗВ  const
та стік - затворна характеристика

I  f U ( ЗB) польового транзистора з
C
U СВ  const
індукованим каналом n- типу

91