Page 96 - 4627

оскільки володіють малими нелінійними і динамічними
спотвореннями.

Силові біполярні транзистори з ізольованим затвором
БТІЗ (IGBT)
Бажання сумістити в одному приладі кращі властивості
польового та біполярного транзистора привело до створення
комбінованого приладу - біполярного транзистора з
ізольованим затвором БТІЗ. В технічній літературі його
називають IGBT (від англ. Insulator Gate Bipolar Transistor).
Цей прилад знайшов широке розповсюдження в силовій
електроніці завдяки тому, що він дозволяє з високою
швидкістю комутувати великі струми.
Промислове виробництво IGBT почалося з 80-х років і
вже зазнала чотири стадії свого розвитку.
I покоління IGBT (1985 р.): гранична комутована
напруга 1000 В і струми 200 А в модульному і 25 А в
дискретного виконання, прямі падіння напруги у відкритому
стані 3,0-3,5 В, частоти комутації до 5 кГц (час
включення/виключення близько 1 мкс).
II покоління (1991 р.): комутована напруга до 1600 В,
струми до 500 А в модульному і 50 А в дискретного
виконання; пряме падіння напруги 2,5-3,0 В, частота комутації
до 20 кГц ( час включення / виключення близько 0,5 мкс).
III покоління (1994 р.): комутована напруга до 3500 В,
струми 1200 А в модульного виконання. Для приладів з
напругою до 1800 В і струмів до 600 А пряме падіння напруги
складає 1,5-2,2 В, частоти комутації до 50 кГц (часи близько
200 нс).
IV покоління (1998 р.): комутована напруга до 4500 В,
струми до 1800 А в модульного виконання; пряме падіння
напруги 1,0-1,5 В, частота комутації до 50 кГц (часи близько
200 нс).
IGBT є продуктом розвитку технології силових
транзисторів із структурою метал-оксид-напівпровідник,
керованих електричним і поєднують в собі два транзистори в
одній напівпровідниковій структурі: біполярний (який
створює силовий канал) і польовий з індукованим каналом
(створює канал управління). Його включення і виключення
здійснюються подачею і зняттям позитивної напруги між

96