Page 93 - 4627

dI C
1. Крутизна стік-затворної характеристики S 
dU ЗВ
при U СB=const цей параметр характеризує ефективність
керуючої дії затвора;
2. Напруга відтинання U зв0 зворотна напруга на
затворі при якій струмопровідний канал буде перекритим;
3. Вхідний опір - між затвором і витоком (
визначається при максимально допустимій напрузі між цими
dU
r  ЗB max
електродами) вх становить десятки мегаом.
dI
З max
4. Вихідний опір (визначається в режимі насичення)
dU
r вих  CB при U ЗB=const
dI C
5. Максимально допустимі параметри:
- максимальне значення струму стоку І Стаx, сягає від
десятків міліампер до одного ампера;
- максимальне значення напруги стік-витік U СВ тах
(задають у 1,2÷1,5 рази меншим за напругу пробою ділянки
стік-витік), становить до 100 В;
До найважливіших переваг польових транзисторів варто
віднести:
1. Високий вхідний опір, що досягає в канальних
9
6
транзисторах з р-n переходами величини 10 —10 Ом, а в
12 14
транзисторах з ізольованим затвором 10 —10 Ом. Таке
високе значення вхідного опору пояснюється тим, що в
транзисторах з р-n переходами електронно–дірковий перехід
між затвором і витоком включений в зворотному напрямку, а
в транзисторах з ізольованим затвором вхідний опір
визначається дуже великим опором витоку діелектричного
шару.
2. Мала потужність управління, високі швидкості
комутації
3. Малий рівень власних шумів, тому що в польових
транзисторах, на відміну від біполярних, у переносі струму
беруть участь заряди тільки одного знаку, що виключає появу
рекомбінаційного шуму.

93