Page 90 - 4627

Конструкція та принцип роботи МОН-транзистора з
вбудованим каналом
Канал між витоком та стоком можна створити
технологічним шляхом на стадії виготовлення МДН
транзистора (наприклад, увівши відповідну домішку), такі
транзистори називають транзисторами з вбудованим каналом.
У ПТ з вбудованим каналом зони n-типу з'єднано перетинкою
- тонким шаром n-типу.

Рис.9.3 - Конструкція МОН-транзистора з вбудованим
каналом

У пластинці кремнію р- типу (основі) з відносно високим
питомим опором, яку називають підложкою, за допомогою
дифузійної технології створені дві сильно леговані області з
протилежним типом електропровідності – n. На ці області
нанесені металеві електроди – витік і стік. Між витоком і

90