Page 87 - 4627

Рис. 9.1 - Будова МОН-транзистора
У пластинці кремнію р- типу (основі) з відносно високим
питомим опором, яку називають підложкою, за допомогою
дифузійної технології створені дві сильно леговані
напівпровідникові області з протилежною електропровідністю
– n-типу. На ці області нанесені металеві електроди – витік і
стік. Область а відповідно і електрод, від якого починають рух
носії заряду (у даному разі -електрони), називається витоком
В, а область (електрод), до якої вони рухаються - стоком С.
Поверхня кристалу напівпровідника між витоком і стоком
покрита тонким шаром (близько 0,1 мкм) діелектрика. На шар
діелектрика нанесений металевий електрод – затвор, за
допомогою якого здійснюється керування поверхневою
провідністю та поверхневим струмом.
Принцип роботи такого транзистора можна представити
наступним чином: при відсутності напруги на затворі, області
n – витоку і n – стоку розділені непровідним прошарком
основної пластини, тобто між витоком та стоком умовно
зустрічно увімкнені два діоди і, відповідно, струм в цьому
колі буде рівний зворотному струмові одного з діодів, тобто

87