Page 86 - 4627

Лекційне заняття №9.
Польові транзистори з ізольованим затвором
(МДН-транзистори). IGBT-транзистори.

Навчальні питання
1. МОН - транзистори з індукованим каналом.
Будова, принцип роботи та характеристики.
2. МОН - транзистори з вбудованим каналом. Будова,
принцип роботи та характеристики.
3. Основні параметри, схеми вмикання та область
застосування польових транзисторів з ізольованим затвором.
4. IGBT-транзистори
МДН-транзистори. На відміну від ПТ з керуючим р-п
переходом, у яких затвор має безпосередній електричний
контакт із зоною НП струмопровідного каналу, у МДН
транзисторах – (метал – діелектрик – НП) затвор являє собою
металеву, наприклад, алюмінієву плівку (А1), ізольовану від
зазначеної зони НП шаром діелектрика. Тому МДН-
транзистори належать до класу ПТ з ізольованим затвором.
Найчастіше як діелектрик в таких транзисторах викорис-
товують оксид кремнію (SiO 2), і тому ПТ називають МОН-
транзистором (метал - окисид - НП). Міжнародна назва
MOSFET (metal–oxide–semiconductor field-effect transistor).
Такі транзистори бувають із вбудованим та індукованим
каналами. Останні більш розповсюджені.
Будова та принцип роботи МОН-транзистора з
індукованим каналом
Конструкція МОН-транзистора з індукованим каналом n-
типу

86