Page 88 - 4627

досить малий і транзистор буде знаходитись у закритому
стані.
При подачі на затвор позитивної напруги відносно витоку
електрони зміщуються із основної пластини р - типу (де вони
є завдяки тепловій генерації вільних носіїв заряду) і
накопичуються під ізольованим прошарком. При визначеній
різниці потенціалів концентрація електронів під діелектриком
перевищує концентрацію дірок, виникає явище інверсії коли
р-шар стає n – шаром.
Таким чином, між зонами n-шарів наводиться (інду-
кується) канал, по якому може протікати струм від стоку до
витоку. Різницю потенціалів затвора, при якій відбувається
інверсія провідності підзатворної області та починає протікати
струм, називають пороговою напругою (U ЗВ пор). Стоковий
струм тим вищий, чим більшим є індукований в каналі заряд і,
відповідно, більшою є провідність індукованого каналу.
При роботі транзистора в підсилювальному режимі
полярність напруги на стоці відносно витоку задається такою,
щоб основні носії дрейфували до стоку.
Полярність напруг, які прикладаються до електродів МОН
транзистора з індукованими n та p каналами при їх роботі в
підсилювальному режимі, протилежна. Для n канального
транзистора на затвор подається плюс відносно витоку, на p
канальний транзистор - мінус. За стік приймається той
електрод транзистора, до якого дрейфують основні носії,
тобто в p канальному транзисторі стік повинен бути від'ємним
відносно витоку, а в n канальному - додатнім.
При наявності струму стоку, за рахунок розподілення по
довжині каналу падіння напруги від нуля до U СВ, канал
звужується у напрямку стоку. За деякого значення напруги
U СВ канал перекривається так, що подальше збільшення
струму стоку не відбувається.
Роботу польового транзистора з індукованим каналом
характеризують вихідні (стокові) характеристики

I  f U ( CB)
C
U ЗВ  const

88