Page 85 - 4627

- крутизна стік-затворної характеристики
dI C
S  \U СB=const;
dU ЗВ
dU ЗB
- вхідний опір r  становить десятки мегаом.
вх
dI З

3. СІТ-транзистори
У середині 70-х рр. минулого століття багаторічні
дослідження (Японія, США) завершились створенням ПТ із
статичною індукцією - СІТ-транзистора. Цей транзистор,
будучи за суттю ПТ з керуючим р-п переходом, є
твердотільним аналогом електронновакуумної лампи - тріода,
у якої вихідна характеристика при нульовому значенні
сигналу керування за формою нагадує характеристику р-п
переходу. З ростом від'ємного значення напруги керування
характеристики зсуваються вправо.
На відміну від площинної горизонтальної конструкції ПТ
з керуючим р-п переходом, СІТ-транзистор має вертикальну
конструкцію. Наприклад, р–шари затвору вводяться в n-шар
вертикально. Таке виконання забезпечує приладу роботу при
напругах до 2000 В й частотах до 500 кГц. А розміщення на
одному кристалі великого числа елементарних транзисторів із
наступним їх паралельним з'єднанням забезпечує робочі
струми до 500 А - це вже є силовий електронний прилад!
Крім роботи в режимі ПТ, цей транзистор може
працювати і у режимі біполярного транзистора, коли на затвор
подається додатне зміщення. При цьому падіння напруги на
приладі у відкритому стані зменшується.
Умовне позначення СІТ-транзистора наведене на рис. 8.6.

Рис. 8.6 – Умовне позначення СІТ-транзистора

85