Page 81 - 4627
P. 81
Рис.8.1 – ПТ з керуючим р-п переходом
У такого ПТ канал протікання струму являє собою шар
НП, наприклад, л-типу, вміщений між двома р-п переходами.
Канал має контакти із зовнішніми електродами. Електрод, від
якого починають рух носії заряду (у даному разі -електрони),
називається витоком В, а електрод, до якого вони рухаються -
стоком С.
НП шари р-типу, що створюють із п -шаром два р-п
переходи, виконані з більш високою концентрацією основних
носіїв, ніж п - шар. Обидва р-шари електрично з'єднані і
мають зовнішній електрод, що називається затвором З.
Вихідна напруга підмикається між стоком і витоком (U св),
а вхідна напруга (керуюча) - між витоком та затвором (U зв),
причому на затвор подається зворотна щодо витоку напруга.
Принцип дії такого ПТ полягає у тому, що зі змінами
вхідної напруги и зв змінюється ширина р-п переходів, що
являють собою ділянки НП, збіднені носіями зарядів
(запірний шар). Оскільки р-шар має більшу концентрацію
домішки, зміна ширини р-п переходів відбувається, головним
чином, за рахунок більш високоомного n-шару. При цьому
змінюється переріз струмопровідного каналу, а отже і його
провідність і відповідно вихідний струм І с приладу.
Особливість цього транзистора полягає у тому, що на
провідність каналу впливає як керуюча напруга U зв, так і
напруга U св. Вплив напруг на провідність каналу ілюструє
рис. 8.2, де заради спрощення не показані ділянки n-шару,
розміщені поза р-п переходами.
На рис. 8.2,а зовнішню напругу прикладено лише у
вхідному колі транзистора. Збільшення зворотної напруги на
р-п переході призводить до зменшення провідності каналу за
81