Page 81 - 4627
P. 81

Рис.8.1 – ПТ з керуючим р-п переходом
                                У  такого  ПТ  канал  протікання  струму  являє  собою  шар
                            НП, наприклад, л-типу, вміщений між двома р-п переходами.
                            Канал має контакти із зовнішніми електродами. Електрод, від
                            якого починають рух носії заряду (у даному разі -електрони),
                            називається витоком В, а електрод, до якого вони рухаються -
                            стоком С.
                                НП  шари  р-типу,  що  створюють  із  п  -шаром  два  р-п
                            переходи, виконані з більш високою концентрацією основних
                            носіїв,  ніж  п  -  шар.  Обидва  р-шари  електрично  з'єднані  і
                            мають зовнішній електрод, що називається затвором З.
                                Вихідна напруга підмикається між стоком і витоком (U св),
                            а вхідна напруга (керуюча) - між витоком та затвором (U зв),
                            причому на затвор подається зворотна щодо витоку напруга.
                                Принцип  дії  такого  ПТ  полягає  у  тому,  що  зі  змінами
                            вхідної  напруги  и зв  змінюється  ширина  р-п  переходів,  що
                            являють  собою  ділянки  НП,  збіднені  носіями  зарядів
                            (запірний  шар).  Оскільки  р-шар  має  більшу  концентрацію
                            домішки, зміна ширини р-п переходів відбувається, головним
                            чином,  за  рахунок  більш  високоомного  n-шару.  При  цьому
                            змінюється  переріз  струмопровідного  каналу,  а  отже  і  його
                            провідність і відповідно вихідний струм І с приладу.
                                Особливість  цього  транзистора  полягає  у  тому,  що  на
                            провідність  каналу  впливає  як  керуюча  напруга  U зв,  так  і
                            напруга  U св.  Вплив  напруг  на  провідність  каналу  ілюструє
                            рис.  8.2,  де  заради  спрощення  не  показані  ділянки  n-шару,
                            розміщені поза р-п переходами.
                                На  рис.  8.2,а  зовнішню  напругу  прикладено  лише  у
                            вхідному колі транзистора. Збільшення зворотної напруги на
                            р-п переході призводить до зменшення провідності каналу за

















                                                           81
   76   77   78   79   80   81   82   83   84   85   86