Page 93 - 4121

Z , Î ì
6
1 0
5
1 0
4
1 0
4 ê Î ì
3 Å ë å ê ò ð è ÷ í å
1 0 Å ë å ê ò ð î ì à ã í ³ ò í å
ï î ë å ï î ë å
2
1 0 4 0 Î ì
Ì à ã í ³ ò í å
1 0
ï î ë å
1

- 1
1 0
- 2
1 0
- 3
1 0
- 4
1 0
- 5
r / 
1 0 2
- 4 - 3 - 2 - 1 2 3
1 0 1 0 1 0 1 0 1 1 0 1 0 1 0

Рисунок 5.4 – Хвильові опори електричного та
магнітного полів при кінцевих значеннях імпедансу джерела
випромінювання

Рівень завад, що виникають у схемі буде залежати від
імпедансу самої схеми і хвильового опору електромагнітного
поля, яке на неї діє. Максимальний рівень завад виникне тоді,
коли поле з високим хвильовим опором діятиме на схему з
високим опором (ємнісна модель перехресних завад), або коли
на схему з низьким імпедансом діятиме електромагнітне поле
з низьким опором (індуктивна модель перехресних завад).
92