Page 88 - 6378
P. 88
напруженості запірного шару, тобто результуюча напруженість значно підвищить
0
потенціальний бар’єр запірного шару (рис. 13).
Рисунок 11 – Контакт двох напівпровідників.
В цьому випадку ширина запірного шару на − переході збільшиться, а
концентрація вільних зарядів – електронів і дірок – значно менша, ніж в контактуючих
домішкових напівпровідниках. Чим більша запірна напруженість − переходу, тим
товстішим є запірний шар.
Рисунок 12 – Пряме включення − переходу.
