Page 83 - 6378
P. 83
Рисунок 6 – Напівпровідник - типу.
Домішкова фотопровідність. Якщо напівпровідник містить домішки, то
фотопровідність може виникати і при < ∆: якщо домішка донорна фотон повинен
володіти енергією ≥ ∆ , якщо домішка акцепторна – ≥ ∆ . При поглинанні світла
домішковими центрами відбувається перехід електронів з донорних рівнів у зону провідності
у випадку напівпровідника - типу (рис. 7б) або з валентної зони на акцепторні рівні у
випадку напівпровідника - типу (рис. 7в).
Домішкова фотопровідність для напівпровідників - типу – виключно електронна,
для напівпровідників - типу – виключно діркова.
Таким чином, якщо ≥ ∆ для власних напівпровідників, і ≥ ∆ для
домішкових напівпровідників, то в напівпровіднику збуджується фотопровідність (тут ∆ –
енергія активації домішкових атомів).
Рисунок 7 – Фотопровідність напівпровідників.
