Page 92 - 6378
        P. 92
     генерації електричних коливань. Напівпровідникові прилади, призначені для розв’язку цих
               завдань,  отримали  назву  напівпровідникових  тріодів  або  транзисторів.  Транзистор
               (   –  перетворюючий  опір)  –  це  напівпровідниковий  прилад,  який
               застосовують для підсилення або генерації електричних сигналів.
                        Розглянемо  принцип  роботи   −  −   транзистора  (рис. 18)  Робочі  електроди
               транзистора,  якими  є  база  Б  (середня  частина  транзистора)  емітер  Е  і  колектор  К
               (напівпровідники, які прилягають до бази з обох боків з іншим типом провідності, ніж база),
               вмикаються за допомогою металічних провідників в електричну схему.
                        Між  емітером  Е  і  базою  Б  вмикається  постійне  джерело     зміщуючої  напруги  в
                                                                                       
               прямому напрямі, а між базою Б і колектором К – постійне джерело   зміщуючої напруги в
                                                                                        
               зворотному  напрямі.  Внаслідок  такої  полярності  ввімкнення     і    −   –  перехід  між
                                                                                        
                                                                                   
               емітером Е і базою Б буде мати малий опір (буде відкритим), а  −  перехід між базою Б і
               колектором К буде мати великий опір (буде закритим). Оскільки база Б одночасно ввімкнена
               в емітерне і колекторне електричні кола, то така схема ввімкнення транзистора називається
               схемою із спільною базою. Підсилювана змінна напруга   подається на вхідний опір   в
                                                                            вх
                                                                                                            вх
               емітерному колі, а підсилена напруга   вих  знімається із вихідного опору  вих  в колекторному
               колі.
                        Протікання  струму  в  емітерному  колі  обумовлене  рухом  електронів  і
               супроводжується  їх  «вприскуванням»  –  інжекцією  –  в  область  Б.  Частина  цих  електронів
               рекомбінує із дірками, які  є  в    – напівпровіднику бази. Оскільки товщина бази  Б досить
               мала (вимірюється в мікронах), то значна частина електронів, які не встигли рекомбінувати
               під  дією  прискорюючого  електричного  поля  між  базою  Б  і  колектором  К,  дифундують  в
               нього з великими швидкостями і змінюють величину струму в колекторному колі.
                          Рисунок 18 – Схема включення транзистора по схемі із спільною базою.
     	
