Page 86 - 6378

об’ємний заряд (рис. 10а). Отже, контактний шар напівпровідника володіє підвищеною

провідністю, тобто не є запираючим. Аналогічно, можна показати, що викривлення

енергетичних рівнів у порівнянні з контактом метал – напівпровідник -типу ( > )
м
відбувається у зворотньому напрямі.

Рисунок 10 – Контакт метал – напівпровідник.

При контакті металу з напівпровідником -типу запірний шар утворюється при
< (рис. 10в), так як у контактному шарі напівпровідника спостерігається надлишок
м
від’ємних іонів акцепторних домішок і недостача основних насіїв струму – дірок у валентній
зоні. Якщо ж > (рис. 10б), то у контактому шарі напівпровідника -типу
м
спостерігається надлишок основних носіїв струму – дірок у валентній зоні, контактний шар
володіє підвищеною провідністю.

Виходячи з наведених роздумів, бачимо, що запірний контактний шар виникає при

контакті донорного напівпровідника з меншою роботою виходу, ніж у металі, і в
акцепторного – з більшою роботою виходу, ніж у металу.

Запірний контактнй шар володіє односторонньою (вентильною) провідністю, тобто

при прикладанні до контакту зовнішнього електричного поля він пропускає струм практично
тільки в одному напрямі: або з металу у напівпровідник, або з напівпровідника у метал. Ця

важлива властивість запірного шару пояснюється залежністю його опору від напряму
зовнішнього поля.

Якщо напрям зовнішнього і контактного полів протилежні, то основні носії струму
втягуються в контактний шар з об’єму напівпровідника; товщина контактного шару,

збідненого основними носіями струму, і його опір зменшуються. В цьому напрямі, який

називається пропускним, електричний струм може проходити через контакт метал –