Page 82 - 6378

Рисунок 5 – Напівпровідник - типу.

Домішки, які є джерелом електронів називаються донорами, а енергетичні рівні цих
домішок – донорними рівнями. Таким чином, у напівпровідниках - типу (донорна

домішка) реалізується електронний механізм провідності.
Напівпровідники називаються дірковими (або напівпровідниками - типу) якщо

провідність у них забезпечується дірками, внаслідок введення домішки, валентність якої на

одиницю менша від валентності основних атомів.
Наприклад, введення тривалентної домішки бору () у матрицю чотиривалентного

германію () призводить до появи у забороненій зоні домішкового енергетичного рівня

не занятого електронами. У даному випадку цей рівень розміщується від верхнього краю
валентної зонина відстані ∆ = 0,08 еВ. Електрони з валентної зони можуть переходити на

домішковий рівень, локалізуючись на атомах бору. Дірки, які утворилися у валентній зоні
стають носіями струму.

Домішки, які захоплюють електрони з валентної зони, називаються акцепторами, а

енергетичні рівні цих домішок – акцепторними рівнями. В напівпровідниках - типу
(акцепторна домішка) реалізується дірковий механізм провідності.

Отже, на відміну від власної провідності, домішкова провідність обумовлена носіями
одного знаку.

Фотопровідність напівпровідників – збільшення електропровідності

напівпровідників під дією електромагнітного випромінювання – може бути пов’язана з
властивостями як основної речовини, так і домішок, які містяться в ній.

Власна фотопровідність. Якщо енергія фотонів більша за ширину забороненої зони
( ≥ ∆), електрони можуть бути перекинуті з валентної зони у зону провідності (рис. 7а),

що призведе до появи додаткових (нерівноважних) електронів (в зоні провідності) і дірок (у

валентній зоні). Власна фотопровідність обумовлена як електронами, так і дірками.