Page 97 - 4627

затвором і витоком. Умовне позначення IGBT та еквівалентна
схема включення двох транзисторів має вигляд.

Рис.9.5 – Еквівалентні схеми IGBT
транзистора
Прилад вмикають в силовий ланцюг виводами
біполярного транзистора E (емітер) і C (колектор), а в ланцюг
управління - виводом G (затвор). Таким чином, IGBT має три
зовнішні виводи: емітер, колектор, затвор.
IGBT-прилади є компромісним технічним рішенням, що
дозволило об'єднати позитивні якості як біполярних (мале
падіння напруги у відкритому стані, висока комутована
напруга), так і MOSFET-транзисторів (мала потужність
управління, високі швидкості комутації).
В той же час втрати у них ростуть пропорційно струму, а
не квадрату струму, як у польових транзисторів. Максимальна
напруга IGBT-транзисторів обмежена тільки технологічним
пробоєм і вже сьогодні випускаються прилади з робочою
напругою до 4500 В. при цьому залишкова напруга на
транзисторі у включеному стані не перевищує 2- 3 В. По
швидкодії силові IGBT-прилади поки поступаються MOSFET-
транзисторам, але перевершують біполярні.
Конструкція IGBT транзистора

97