Page 99 - 4627

падіння опору цій області і додатковому зменшенню
залишкової напруги на приладі. Таким чином, польовий
транзистор управляє роботою біполярного.

PT NPT

Підсилювальні властивості IGBT-прибора
характеризуються крутизною S, яка визначається
підсилювальними властивостями МДП і біполярного
транзисторів в структурі IGBT. Відповідно, значення крутизни
для IGBT є вищим порівняно з біполярними і МДП
транзисторами.
Типові характеристики IGBT-транзисторов приведені на
мал. 9.7-9.8 [2].

99