Page 101 - 4627
P. 101
Рис.9.8 - Залежність напруги насичення колектор-
емітер від напруги затвор-емітер
IGBT-модули
В даний час транзистори IGBT випускаються, як правило,
у вигляді модулів в прямокутних корпусах з одностороннім
притиском і охолоджуванням ("Mitsubishi", "Siemens",
"Semikron" і ін.) і виконання пігулки з двостороннім
охолоджуванням ("Toshiba Semiconductor Group").
У структурі ІТМ на IGBT побудована система управління
з широко-імпульсною модуляцією (ШИМ). У багатьох
модулях є схема активного фільтру для корекції коефіцієнта
потужності і зменшення змісту вищих гармонійних в
живлячій мережі.
IGBT-модуль по внутрішній електричній схемі може бути
одиничним IGBT, подвійний модуль (half-bridge), де два IGBT
сполучені послідовно (півміст), переривник (chopper), в якому
101
