Page 64 - 4627

У транзистора, схематичне зображення якого показано на
рисунку б, крайні області володіють дірковою провідністю, а
середня електронною. Такі прилади називаються
транзисторами типу р-п-р. Фізичні процеси, що протікають у
транзисторах обох типів, аналогічні.
Центральний шар біполярних транзисторів має назву
"база". Зовнішній лівий, що є джерелом носіїв заряду
(електронів чи дірок) і, головним чином, створює струм
приладу, називається "емітером". Правий зовнішній шар, що
приймає заряди від емітера, називається "колектором". На
перехід емітер-база напруга подається у прямому напрямку,
тому, навіть при незначній напрузі через перехід тече великий
струм. На перехід колектор-база напруга подається у
зворотному напрямку. Зазвичай її величина на декілька
порядків перевищує напругу на переході емітер-база.
Підсилюючі властивості біполярного транзистора
забезпечуються тим, що р-п переходи в ньому не є незалежні,
а взаємодіють один з одним, що, в свою чергу, забезпечується
технологічними особливостями виконання тришарової
структури, а саме:
1) емітер виконано з великою кількістю домішки - він має
велику кількість вільних носіїв заряду;
2) база виконана тонкою (порядку декількох мікрометрів)
і має малу кількість основних носіїв заряду;
3) колектор - масивний і має кількість носіїв, меншу, ніж
емітер.
Будова транзистора, виготовленого за дифузійною
технологією (рис. 6.2.)

64