Page 59 - 4627

Рис. 5.12 – Вольт – амперні характеристики переходу
Шотткі (1) і p – n переходу (2)
У випадку, якщо робота виходу з металу менше роботи
виходу з напівпровідника, то переважний перехід електронів
буде відбуватись з металу в напівпровідника. Внаслідок цього
приконтактний шар напівпровідника збагачується носіями
зарядів, концентрація електронів у ньому зростає, а опір
знижується. На мал. 5.12, в показана енергетична діаграма для
цього випадку. Скривлення зон енергетичної діаграми
напівпровідника відбувається в протилежну сторону.
Збагачений приконтактний шар має низький опір при будь-
якій полярності зовнішньої напруги, прикладеної до переходу.
Тому подібні контакти не мають випрямляючі властивості і
можуть бути використані для створення омічних переходів у
напівпровідникових приладах і мікросхемах, необхідних для
приєднання тих чи інших елементів до зовнішнього ланцюга.
Найважливішою особливістю переходу Шоттки в
порівнянні з р–n переходом є відсутність інжекції неосновних
носіїв заряду. Ці переходи працюють тільки на основних
носіях. Звідси випливає, що в приладах, у яких
використовується перехід Шоттки, відсутня дифузійна
ємність, зв'язана з нагромадженням і розсмоктуванням
неосновних носіїв. Відсутність дифузійної ємності істотно
підвищує швидкодія приладів, у тому числі працюючих у
режимі переключення. Не менш важливою особливістю таких
приладів є значно менша пряма напруга в порівнянні з
напругою на р-n переході. Це порозумівається тим, що при

59