Page 68 - 4627

переході u ЭБ, експоненціально зростаючи із збільшенням u ЭБ .
Інжектовані в базу електрони опиняються в ній надмірними
(нерівноважними) неосновними носіями заряду. Унаслідок
дифузії вони рухаються через базу до колекторного переходу,
частково рекомбінуючи з основними носіями - дірками.
Досягнувши колекторного переходу електрони екстрагуються
полем закритого колекторного переходу в колектор. У зв'язку
з тим, що в колекторному переході відсутній потенційний
бар'єр для електронів, рухомих з бази в колектор, цей потік в
першому наближенні не залежить від напруги на
колекторному переході u КБ. Таким чином, в активному
режимі всю структуру транзистора від емітера до колектора
пронизує наскрізний потік електронів, що створює в
зовнішніх ланцюгах емітера і колектора струми i Э і i К,
направлені назустріч руху електронів. Важливо підкреслити,
що цей потік електронів і, відповідно, струм колектора i К, що є
вихідним струмом транзистора, дуже ефективно управляються
вхідною напругою u ЭБ і не залежать від вихідної напруги u КБ.
Ефективне управління вихідним струмом за допомогою
вхідної напруги складає основу принципу роботи біполярного
транзистора і дозволяє використовувати транзистор для
посилення електричних сигналів.
Схема простого підсилювального каскаду на
транзисторі, включеному по схемі ОБ, приведена на мал. 3.5.

Рис. 6.6 -
В порівнянні з схемою, приведеною на мал. 6.5, в
емітерний ланцюг введено джерело змінної напруги u ЭБ-, а в
колекторний ланцюг включений резистор навантаження R К.

68