Page 62 - 4627

Рис. 5.13 - Вольт-амперна характеристика бар'єру Шотки

Вольт-амперна характеристика бар'єру Шотки (рис.5.13)
має яскраво виражений несиметричний вигляд. В області
прямих зсувів струм експоненціально росте із збільшенням
прикладеної напруги. В області зворотних зсувів струм від
напруги не залежить. У обох випадках, при прямому і
зворотному зсуві, струм в бар'єрі Шотки обумовлений
основними носіями заряду - електронами. З цієї причини
діоди на основі бар'єру Шотки є швидкодіючими приладами,
оскільки в них відсутні рекомбінаційні і дифузійні процеси.
Несиметрична вольт-амперної характеристики бар'єру Шотки
є типовою для бар'єрних структур. Залежність струму від
напруги в таких структурах обумовлена зміною числа носіїв,
що беруть участь в процесах зарядопереноса. Роль зовнішньої
напруги полягає в зміні числа електронів, перехідних з однієї
частини бар'єрної структури в іншу.

62