Page 65 - 4627

Рис.6.2 - n-p-n структура
Як видно з малюнка, транзистор має три області
напівпровідника, до яких приєднані його електроди, причому
дві крайні області мають однаковий тип провідності, а середня
область - протилежний. Структура транзистора, приведена на
рис. 6.2, називається n-p-n-структурой. Електроди транзистора
мають зовнішні виводи, за допомогою яких транзистор
включається в електричну схему. Одна з крайніх областей
транзистора, що має найменші розміри, називається емітером
(Э). Вона призначена для створення сильного потоку-
інжекції - основних носіїв заряду (в даному випадку
електронів), який пронизує всю структуру приладу. Тому
емітер характеризується дуже високим ступенем легування
19 20 -3
(ND Э =10 -10 см ). інша крайня область транзистора -
колектор (К), призначений для приймання - екстракції -
потоку носіїв від емітера. Тому колектор має найбільші
розміри серед областей транзистора. Легується колектор
значно слабкіше за емітер Середня область транзистора
називається базою (Б). Вона призначена для управління
потоком носіїв, рухомих з емітера в колектор. Для зменшення
втрат електронів на рекомбінацію з дірками в базі її ширина
W Б робиться дуже маленькою ( W Б<< L n), а ступінь легування
- дуже низькою - на 3...4 порядку нижче, ніж у емітера
(N АБ<<N DЭ). Між електродами транзистора утворюються p-n-
переходи. Перехід, що розділяє емітер і базу, називається
емітерним переходом (ЕП), а перехід, що розділяє базу і
колектор, - колекторним переходом (КП). З урахуванням
різкої асиметрії емітерного переходу (N DЭ >>N АБ) він
характеризується односторонньою інжекцією: потік
електронів, що інжукуються з емітера в базу, значно
перевершує зустрічний потік дірок, іжукуємих з бази в емітер.
Розглянемо роботу транзистора типу n-p-n.

65