Page 67 - 4627

Для сучасних транзисторів α = 0,9 ÷ 0,995.
Транзистор р-п-р типу діє аналогічно, тільки струм через
прилад зумовлений, головним чином, дірками, а полярність
підключення джерел живлення протилежна.
Принцип роботи біполярного транзистора
Розглянемо фізичні процеси, що протікають в транзисторі
в активному режимі, і постараємося оцінити, яким чином ці
процеси дозволяють підсилювати електричні сигнали.

Рис. 6.5 – Плоска одновимірна модель транзистора
Для простоти аналізу використовуватимемо плоску
одновимірну модель транзистора, представлену на мал. 6.5.
Розглянемо спочатку статичну ситуацію, при якій на переходи
транзистора від зовнішніх джерел живлення подається
постійна напруга u ЭБ і u КБ, - див. мал. 6.4. Відмітимо, що
приведений на малюнку транзистор включений по схемі із
загальною базою. Напругу u ЭБ <0 і u КБ >0 забезпечують
відкритий стан емітерного переходу і закритий стан
колекторного переходу, що відповідає активному режиму
роботи транзистора. Через відкритий емітерний перехід
протікають основні носії заряду. Із-за різкої асиметрії
емітерного переходу інжекцію через нього можна вважати
односторонньою, тобто досить розглядати тільки потік
електронів, що інжекуються із емітера в базу - див. мал. 6.4.
Цей потік дуже сильно залежить від напруги на емітерному

67