Page 45 - 4143

вдосконаленням методів і засобів інтеграції на кремнієвій підкладці

оптоелектронних приладів (випромінювачів, модуляторів,
фотоприймачів) на основі шарів GaAs і традиційних
мікроелектронних компонентів: n-МОН, р-МОН, n-р-n, p-n-р
транзисторів, резисторів, ємностей, створених в рамках

субмікронних кремнієвих технологій.
Відповідні фотоприймачі (фотодіоди, фототранзистори) в
кожному чипі в 3D-HМ перетворюють оптичні сигнали від чипа до

чипа в електричні і служать кінцевими елементами оптичних
з'єднань і ЛЗ. В 3D-HМ оптичні параметри мініатюрних
фотоприймачів (спектральна характеристика чутливості, апертура,
площа світлочутливого майданчика та ін.) узгоджуються з

оптичним каналом лазерних діодів, а електричні характеристики – з
характеристиками подальших логічних елементів КМОН, а також

БІКМОН, КБІ/КБІ-КМОН схем.
Найперспективнішою з погляду зниження споживаної потужності
і збільшення інтеграції 3D-HМ представляється організація
оптичних зв'язків із зовнішньою модуляцією периферійних джерел

світла - лазерних діодів, що приводить до практичного виключення
розсіювання потужності лазерів на периферії чипів (еквівалентів
вихідних підсилювачів потужності в стандартних електронних

ВІС) і відповідно до істотного ослаблення проблем, пов'язаних із
здатністю навантаження виходів оптомікроелектронних УВІС.
Якщо в архітектурі 3D-HМ і НК вдасться не тільки зменшити
площі периферійних лазерів, але і їх число, то це приведе до

значного поліпшення техніко-економічних характеристик системи,
в першу чергу, до зниження споживаної потужності, підвищення
рівню інтеграції, а також системній швидкодії. У міру подальшого

технологічного прогресу масштабування мікроелектронних і
оптомікроелектронних компонент і поліпшення їх характеристик в
3D-HМ можна чекати якнайповнішої реалізації переваг

оптоелектроніки для передачі інформації між нейрочипами і
нейропластинами в НК.
Перспективним матеріалом для оптоэлектронних технологій НК

і НМ є наноструктуйованний пористий кремній, використовування
якого, завдяки його принциповій сумісності із стандартною
кремнієвою технологією, дозволяє підвищити надійність
вироблюваних нейрочипів.

45