Page 40 - 4143

керуючий трансп'ютер, 4 НВІС L-Neuro і 4 Мбайт RAM.

Одним із способів реалізації НМ у вигляді НВІС є
використовування приладів із зарядним зв'язком (ПЗЗ). І хоча даний

спосіб має істотний недолік - низьку швидкодію серійних ПЗЗ, в
даний час розроблено декілька схем, що свідчать про успішну
конкуренцію реалізованих на ПЗЗ нейронних мереж при рішенні
деякого класу задач. Так, наприклад, рішення задач розпізнавання

образів не вимагає значної швидкодії, але припускає збільшення
розмірності НМ і об'єму оброблюваної інформації. ПЗЗ можуть
задовольнити ці вимоги, оскільки, окрім наголошеного вище

недоліку, вони мають і цілий ряд переваг перед іншими способами
реалізації.
По-перше, елементарний осередок ПЗЗ (МОН/МНОН

конденсатор) має мінімальні топологічні розміри, і отже можливе
створення НВІС з щонайвищим ступенем інтеграції.
По-друге, ПЗЗ можуть обробляти як аналогову, так і цифрову

інформацію з однаковою швидкодією.
По-третє, при використовуванні ПЗЗ з прихованим каналом,
передачу інформації можливо здійснювати паралельно по
декількох шарах. Таким чином, в порівнянні з іншими способами

реалізації ПЗЗ мають підвищену швидкодію.
По-четверте, використовування ПЗЗ детекторів багато в чому
знімає обмеження, пов'язані з кінцевим числом виведень мікросхем,

що знижує час необхідний для ініціації системи.
Крім того, використовування ПЗЗ дозволяє створювати прилади,
сумісні з будь-яким іншим способом реалізації НМ. Проте, як вже
було відзначено, вживання ПЗЗ для реалізації НМ можливе тільки в

тому випадку, якщо дана елементна база задовольняє умовам
конкретної вирішуваної задачі.
Використовування субмікронних технологій і міні виробництв,

нової схемотехніки і системотехнічних принципів побудови
малопотужних зверх швидкодіючих ультра-ВІС (УВІС) дозволило
японській фірмі "Hitachi" в 1990 р. розробити і виготовити НМ на

кремнієвій пластині діаметром 5" по 0,8-мікрометровій КМОН-
технології. Пластина була змонтована на керамічній підкладці
15x15 см. На цій кремнієвій пластині було розміщено 19 млн. МОН-

транзисторів в 64 нейрочипах. Такі ВІС, використані як базовий
осередок на пластині, дозволяли створити НМ з 576 формальних

40