Page 44 - 4143

і т.д., а також числа нейронів в НМ, тобто від рівня інтеграції 3D-

HМ) є основною заставою можливості швидкого і якісного рішення
задач розпізнавання образів і сцен в реальному масштабі часу з
великим числом наявних параметрів. Більш того, щільно упаковані
системи з 3D-НМ, побудовані з однакових елементів з певною

надмірністю, дозволяють вельми ефективно виходити з ситуації
локальної непрацездатності окремих елементів або фрагментів НМ
за рахунок додаткової перебудови відповідних ваг ще працюючих

елементів так, що, хоча і з втратою точності, надійності і системної
швидкості, НМ продовжуватиме функціонувати.
При зменшенні лінійних розмірів ліній зв'язку (ЛЗ) до 1 мкм і в
субмікронній області для збільшення щільності компоновки

систем, різко погіршується їх функціонування через зростання
опорів ЛЗ, пов'язаного з цим різкого зростання часу

розповсюдження в них сигналу, а також через зменшення терміну
служби ЛЗ внаслідок електроміграції і інших небажаних ефектів
(наприклад, термічних), пов'язаних з високою щільністю струму в
ЛЗ. Тому оптимальним виходом з ситуації, обумовленої "відмовою"

довгих з’єднань на пластині і в ЗD-системах, є перехід до чисто
оптичних зв'язків між чипами (у віддаленій перспективі і усередині
чипа), не дивлячись на здавалося б надмірну необхідність

перетворення електричних сигналів в оптичні, і навпаки в 3D-HМ.
Використовування оптичних зв'язків в симбіозних ЗD-оптомікро-
електронних НМ дозволяє:
o збільшити рівень інтеграції і системної швидкодії систем;

o одержати максимальну швидкість передачі інформації,
обмежену швидкістю світла;
o підвищити перешкодостійкість ЛЗ і системи в цілому;

o збільшити термін служби за рахунок збільшення надійності
системи;
o підвищити ефективність можливості паралельного введення,

передачі і обробки інформації.
У той же час обробка великих масивів інформації в реальному
масштабі часу в майбутніх оптомікроелектронних 3D-HМ

загострює проблему створення зверх швидкодіючих
мікромініатюрних оптоелектронних компонент, сумісних з
субмікронними КМОН, КБІ/КБІ-КМОН-елементамі на кремнієвих
пластинах. До середини 90-х років все більш широка увага

уділялася гібридній Si-GaAs-технології стосовно 2D- і 3D-HМ з
44