Page 86 - 4121

У діапазонах НВЧ мають місце електрично довгі лінії
зв’язку, а у діапазонах ВЧ, СЧ, НЧ лінії зв’язку можуть бути
представлені як електрично короткі. У електрично коротких
лініях найбільший негативний вплив мають паразитні зв’язки,
характер яких залежить від відстані r між джерелами і
приймачами завад. Коли ця відстань є меншою за п’ять
довжин хвиль найвисокочастотнішої складової спектру
сигналу, спостерігається перевага електричної (Е), або
магнітної (Н) складової електромагнітного поля і, відповідно,
ємнісного, або індуктивного паразитного зв’язку. Як правило,
таке явище має місце на частотах від 0 до 3000 Гц.
Джерелами електричних завад у вузлах ЗВТ можуть
бути шини розподілу енергії, блоки живлення, статичні
потенціали, що виникають при терті. Джерелами магнітних
завад є трансформатори і дроселі систем живлення. При
наявності пульсації вихідної напруги, системи розподілу
живлення можна розглядати як джерела електромагнітної
енергії. Джерелами, що випромінюють енергію, є
синхронізуючі схеми і ланки, що підводять високочастотні
сигнали в усі вузли цифрової обчислювальної апаратури [1, 2].

5.1 Рівняння поширення електромагнітного поля у
просторі

Розповсюдження електромагнітного поля у просторі
описується рівняннями Максвела [17]. Для однорідного
середовища з питомим опором  П (Омм), магнітною
проникністю    r 0  1,257  r (мкГн/м) та діелектричною
проникністю    0 r  8,854  r (пФ/м) хвильовий опір
електромагнітного поля (в омах) можна знайти з виразу:
 2 j   0,5
f
   П  (5.1)
1 j 
   2 f П 
Постійна розповсюдження розраховується за формулою:
  1   0,5
  2 j   f   2 j   f    , (5.2)
   П  
або у комплексному виді:
85